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忆芯科技发布Star1000P NVMe主控,读取3.5GB/s,随机性能翻倍

2018-08-10 17:55:44 | 来源:超能网 | 作者:孟宪瑞
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这几天的FMS会议上他们又推出了升级版的STAR1000R主控芯片,读取速度3.5GB/s,写入速度3GB/s,随机读写更是可以达到600K IOPS,随机性能几乎翻倍。

存储芯片是近年来国内半导体产业的重点,紫光旗下的长江存储今年底将量产国内的3D NAND闪存,而在SSD主控芯片上,国产厂商就更多了,而且不只是中低端产品,北京忆芯科技去年底发布了STAR1000系列高性能NVMe SSD主控,这几天的FMS会议上他们又推出了升级版的STAR1000R主控芯片,读取速度3.5GB/s,写入速度3GB/s,随机读写更是可以达到600K IOPS,随机性能几乎翻倍。

有关忆芯科技的STAR1000 NVMe主控,我们去年参加发布会后写过详细的报道,这家公司背后也有国内大基金的支持,产品主打定位是入门机企业级及高性能消费级SSD主控,支持PCIe 3.0 x4通道及NVMe规范。

简单来说,STAR10000主控的连续读取速度可达3.0GB/s,写入速度可达2.0GB/s,随机读取350K IOPS,随机写入300K IOPS,使用的是台积电的28nm工艺生产,它的规格在在PCIe主控中是拔尖的,这个主控也在建兴的T10 Plus硬盘上首发了。

在昨天的FMS闪存会议上,忆芯科技又发布了新一代的STAR1000P主控,命名及规格跟现在的STAR1000主控差不多,但是性能要高得多,连续读取速度提升到了3.5GB/s,连续写入从2GB/s提升到3GB/s,随机读取、写入性能是600OK IOPS,几乎是之前的两倍。

其他规格方面,STAR1000P主控支持NVMe 1.3规范,支持PCIe 3.0 x4通道,支持ONFi 4.0及Toggle 3.0规范,IO速率800Mbps,支持2D/3D SLC/MLC/TLC/QLC闪存,支持DDR3/DDR3L/DDR4/LPDDR3缓存。

在安全性方面,STAR1000P主控除了支持TCG-Opal 2.0加密之外,还支持硬件SHA256加密,同时还支持国内的SM2/SM3/SM4国密标准。

忆芯科技没提到STAR1000P主控硬盘何时上市,不过表态已经在跟国内多家厂商联合开发基于STAR1000P主控的SSD硬盘,主要面向企业级、客户端市场。

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